11 月21 日，据台媒《联合报》报道，美光宣布LPDDR5X 内存纳入高通骁龙8 Gen 2 芯片主架构设计后已量产出货。
美光采用新一代低功耗LPDDR5X移动内存工艺技术，最高速度可达每秒8.5Gb。除了移动应用之外，基于1节点的DRAM产品还具有低延迟、低功耗和高性能的特点。
与上一代1节点相比，1技术能效提升约15%，内存密度提升35%以上，单裸片容量达16Gb。此前，美光已于2021 年开始批量出货基于1（1-alpha）节点的产品。
据介绍，最新的LPDDR5X是专为高端和旗舰智能手机设计的。台媒指出，美光高级副总裁兼移动业务部总经理Raj Talluri 表示，美光最高速度的LPPDR5X 已量产并在全球分销。
此外，高通产品管理副总裁Ziad Asghar指出，要实现Snapdragon 8 Gen 2所声称的光速上网、动态体验和划时代的性能，高速内存必不可少。美光的LPDDR5X内存可以达到8.5Gbps，具有前所未有的超高速和能耗性能，可以满足高通芯片组的需求。
