据11月19日消息，韩国媒体Naver报道称，三星已与美国Silicon Frontline Technology公司合作，提高其半导体芯片在生产过程中的良率，以期在3纳米工艺上追赶台积电。
报道称，三星电子先进工艺的良率很低。从5纳米工艺开始就一直存在良率问题，到4纳米和3纳米工艺时情况变得更糟。据传，三星3纳米方案工艺自量产以来良率尚未超过20%，量产进度已达到瓶颈。
三星目前在其4nm 和5nm 工艺节点上遇到了与良率相关的问题，该公司不希望该问题在其3nm 工艺上再次发生。因此，我们希望与Silicon Frontline Technology合作，帮助三星晶圆厂改善前端工艺和芯片性能。
这家美国公司提供芯片合格评估和ESD（静电放电）预防技术。 ESD 是半导体芯片缺陷的主要原因之一，是由制造过程中设备与金属之间的摩擦引起的。据报道，三星在芯片设计和生产过程中与Silicon Frontline长期合作，并取得了令人满意的成果。该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的技术。
