大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于数码通手机内存的问题，于是小编就整理了4个相关介绍数码通手机内存的解答，让我们一起看看吧。
数码相机里的内存卡，和手机里的内存卡是通用的。 包括现在手机里面放的闪迪的SD卡。 放在我们相机里面也是通用的。不过放相机里面的话，最好买一个好一点的SD卡。 存储照片为的就是留下美好记忆。如果SD卡坏了，那就很尴尬。
手机通常用T-F卡，也叫Micro SD卡。TF卡可经SD卡转换器后，当SD卡使用。有的手机也用MMC卡。相机多数用SD卡，索尼相机用的专用的记忆棒Memory Stick。富士和奥林巴斯多用XD卡。--------------建议手机买个容量小的存储卡就好了，相机要专门买个存储卡，否者就算能通用，换来换去也是很麻烦的。买相机要看光学变焦，那个才能拍清楚远处的东西。卡片机通常只有3倍光学变焦。数码变焦根本没用，放大了相片就模糊了，数码变焦多么大都是商家忽悠人的。，
您好，根据个人理解回答。
相机拍照速度和内存卡大小关系不大，影响拍照速度的是卡的写入速度，卡的大小只是决定存储照片的多少。
同一相机，高速存储的卡肯定比普通速度卡要快。你自己都可以测试，尤其是高速连拍模式下，区别就可以直观感受
B站有个视频测评同平台横向对比了紫光和三星还有金士顿的D3-1600普条，至少超频能力上面紫光普条干掉了另外两个条子。出了没多久所以稳定性方面还要经过时间考验。这儿三星水军势力强大，但是事实就是国产不像他们贬低的那么差，D3出了D4不会太远了，三星的好日子快到头了，这是不可逆的。韩国充其量是我们经济发达省份一省的实力，就算是他们的国家支柱三星，也没有可能长久的和中国的国家资本比拼并且永远占有优势，何况它的技术不过都是美日给的，而不像美日对中国从技术到设备处处设卡，但是只要一个瓶颈被突破了，实现了从无到有的转变，没有任何一项技术中国不能对韩国实现反超的。
我说的可能不一定准，因为我只能描述目前和之前的状态，至于以后的状态，还需要继续观望。国产内存和三星内存最大的差别就是：一个你可以立刻的市场上买到，另外一个不知道什么时候才能买到。
我就这样说吧，比三星稍微低一档的海力士内存，所有良品全送回韩国，在加工中工艺问题导致的1等不良是卖给金士顿的，其余卖不掉的还会有国产厂家来收，毕竟中国的硅片生产可是比韩国落后10年。
国产内存与三星的差距，好比只参加过校内运动的中学生与正值巅峰的运动员共同参加比赛，现在被人轻松碾压都是正常的，但是差距未来有可能缩小，最终平级甚至被国产反超。
三星日前发布了2018年Q1季度财报，营收599.6亿美元，同比增长20%，但是净利润108亿美元，同比大涨52%，其中的主要功臣就是半导体业务，芯片业务占到利润总额的75%，内存、闪存功不可没。
根据市场统计，三星在全球DRAM内存市场上的占有率达到了45.8%，第二名的SK Hynix为28.7%，美光为21%，三星一家就占了全球将近一半的DRAM内存芯片市场，去年全球存储芯片产值1320亿美元，内存芯片大约占740亿美元，三星的比重可见一斑。
三星在内存产业上的强势有多方原因，韩国国家支持、三星起步较早等原因之外，单看产能、技术等方面我们也要知悉中国与三星的差距有多大。首先来说产能，三星2017下半年的存储芯片晶圆产能就达到了每月39万片，去年还在韩国平泽市建设了二期工程（一期工程建成了全球最大的NAND晶圆厂），主要用于12英寸内存芯片生产，建成后三星的DRAM内存产能将增加20%左右，2018年预计月产能可达50万片晶圆/月。
至于中国内存芯片的产能，别说某一家公司，算上未来的长江存储、合肥长鑫以及福建晋华，这三家近两年新建设的产能合计不过48万片晶圆/月，而且长江存储的30万片晶圆/月产能还是给3D NAND闪存的，内存领域的产能差距可见就有多大了。
再说技术水平上的，三星全球份额最大，不仅是因为他们全球产能最大，也跟三星的技术领先有重大关系，三星在2014年就量产了20nm工艺的DDR3内存，2016年又率先量产了18nm工艺的DDR4内存芯片，Die核心容量也从之前的4Gb、8Gb一路走向了16Gb，单条128GB容量的内存不是梦，每次量产新工艺内存至少要比SK Hynix、美光量产时间领先2年之多。
内存芯片工艺路线图
有回答说三星的内存芯片是10nm的，实际上这是三星宣传中的一个小花招，10nm Class并不是特指10nm工艺，而是20nm以内的都可以叫做10nm Class级别的，在18nm（1X）工艺之后三星还在研发1Y、1Z nm内存芯片，分别指代14到16nm、12到14nm之间的内存芯片，不出意外的话，三星还会继续保持技术的领先。
到此，以上就是小编对于数码通手机内存的问题就介绍到这了，希望介绍关于数码通手机内存的4点解答对大家有用。
