据12月23日消息，美国最大存储芯片制造商美光科技周三宣布，该公司将在2023年裁员约10%的员工，并停止发放奖金。这是科技行业增长放缓正在影响就业的又一个迹象。作为减少资本支出的一部分，有消息称美光将采用EUV 光刻的1 纳米工艺DRAM 推迟到2025 年，232 层之后的NAND 节点也推迟。
美光的1 制造技术原定于2024 年某个时候推出，但由于美光必须在2023 财年和2024 财年减少新设备支出并减少DRAM 位出货量，因此将不得不放慢1 和1 制造中DRAM 产量的增长率技术。
该公司最新的1制造节点——位，密度提高了35%，功率效率提高了15%，但该技术仍然依赖于深紫外（DUV）光刻技术。
相比之下，三星和SK海力士已经在其第四代10纳米级内存技术（1，1-）中使用了多层EUV光刻技术，并计划进一步强化其第五代10纳米级DRAM。用于节点。
美光表示：“鉴于我们决定放慢1 (1-Beta) DRAM 的生产，我们预计1 (1-gamma) 技术将于2025 年推出。” “同样，我们将推迟推出232 层3D NAND 内存。下一个NAND 节点，以适应新的需求前景和所需的供应增长。”
