据12月1日消息，深圳市百威存储技术有限公司晶圆级先进封测制造项目正式落地东莞松山湖高新技术产业开发区，签约仪式在东莞市成功举行。
据介绍，晶圆级先进封装测试是介于前端晶圆制造和后端封装测试之间的中端半导体制造工艺。它采用光刻、蚀刻、电镀、PVD、CVD、CMP、Strip等前端晶圆。循环制造工艺，实现凸块、重新布线（RDL）、扇入、扇出、硅通孔（TSV）等工艺技术，不仅可以将芯片直接封装在晶圆上，节省了物理空间，还可以将多个芯片集成在同一晶圆上，以实现更高的集成度。
百微存储表示，晶圆级先进封测项目的实施，将帮助公司产品实现更大带宽、更高速度、更灵活的异构集成和更低能耗，赋能移动消费电子及高端超级计算、游戏、人工智能智能、物联网等应用领域。
百威存储还透露，公司已掌握16层die、30~40m超薄die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为NAND、DRAM芯片和SiP封装的创新和量产提供支撑产品。
深圳市百威存储技术有限公司成立于2010年，专注于存储芯片的研发、封装、测试和制造。是国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业，并获得国家大基金战略投资。
此前有报道称，百威推出了UFS 3.1高速闪存，写入速度高达1800MB/s，是上一代通用闪存的4倍多，读取速度为2100MB/s。 s，容量为256GB（512GB、512GB、1TB容量），尺寸为11.513.01.0mm，面向旗舰智能手机产品。
